Palabras clave
coeficiente de reflexión del borde de grano
microscopía electrónica de barrido
sustratos
resistividad
películas delgadas de cromo
Cómo citar
Resumen
Objetivo: Estudiamos el impacto de los sustratos sobre las propiedades eléctricas de las películas delgadas de cromo. Los sustratos pueden servir para muchos propósitos, tales como definir la orientación, conducir corriente eléctrica en dispositivos verticales, actuar como entrada en los transistores, etc. El rango de grosor de las películas de cromo depositadas en ambos sustratos fue (3,5-70) nm. Métodos y materiales: Usamos las teorías de Fuchs-Sondheimer (F-S) y de Mayadas-Shatzkes (M-S) para analizar datos de resistividad eléctrica para películas de cromo (Cr) depositadas en ambos sustratos simultáneamente mediante evaporación térmica en el vacío, bajo condiciones de deposición idénticas. Resultados y discusión: Se encontró que la resistividad de la película infinitamente gruesa (ρ0), la ruta libre media de electrones de conducción (l), el parámetro de especularidad (p), el poder de dispersión del borde grano (α') y el coeficiente de reflexión del borde de grano (R') dependen de la naturaleza del sustrato y la fuerza de enlace entre ellos y los átomos de cromo evaporados. El crecimiento y la microestructura de las películas de cromo fueron examinados usando microscopía de fuerza atómica (AFM) y microscopía electrónica de barrido (SEM). Conclusiones: Nuestros datos experimentales se corresponden con exactitud con la teoría M-S en todo el rango de grosor que creció en las películas de cromo depositadas en ambos sustratos. El examen de la estructura de las películas mediante SEM indicó que las películas constan de granos de cromo relativamente puro de diferentes tamaños y que depende de las condiciones y parámetros de deposición, que son factores importantes que determinan las propiedades estructurales de las películas.
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